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光彈調(diào)制器

美國Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同時也是世界*的一家）光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。（PEM）的作用就像一個“動態(tài)的波片”，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個周期變化的折射率差，從而控制透過光束的偏振進行周期性的變化。具體而言即，（photoelastic modulators）通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進行變化，同時（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進行切換。

對比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括：

? 非常大通光孔徑（15到30mm，標準），同時保持很高的調(diào)制器頻率

? 超大接受角度（市場角）范圍（+/- 20°）

? 波長覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）

? 高損傷閾值

? 可精確控制相位延遲

美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學和光學頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學頭與磁場或真空兼容（當這些有需要的時候）。

需要進一步了解關于原理，請點擊這里

應用舉例：

在偏振方向調(diào)制中的應用介紹.pdf

Hinds Instruments主要分為兩個系列：

Series I 系列使用矩形光學原件，波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。

Series II系列使用對稱或者八角形的光學原件，波長覆蓋可見和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號可用于紫外。

Hinds Instruments公司的光學頭使用不同的光學材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

TABLE 1
SPECTRAL REGION	SERIES	MATERIAL
Vacuum UV, UV	I	Lithium Fluoride
Vacuum UV to mid-IR	I,II	Calcium Fluoride
Vacuum UV to near-IR	I,II	Fused Silica
Mid-visible to mid-IR	II	Zinc Selenide
Near- to mid-IR	II	Silicon

相對于Series II八角形光學元件，Series I矩形的光學元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個缺點，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個很大優(yōu)點。

八角形（Series II）光學元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會造成一些問題。

可選選項（規(guī)格和價格會因為客戶需要而改變，詳情詢問昊量光電的工程師）

? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請昊量光電關于頻譜范圍和透射率要求
? 無干涉選項，Model NIO。這一項用于偏轉光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標準的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學頭/電學頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請詢問Hinds
磁場兼容選項，Model MFC。光學頭不含任何磁鐵材料，用于強磁場中

基本指標

Model	Optical Material	Nominal Frequency	Retardation Range		Useful Aperture1
Model	Optical Material	Nominal Frequency	Quarter Wave	Half Wave	Useful Aperture1
I/FS50	Fused Silica	50 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	16mm
I/FS20	Fused Silica	20 KHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	22mm
I/CF50	Calcium Fluoride	50 kHz	130nm - 2μm	130nm - 1μm	16mm
II/FS20A	Fused Silica	20 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	56mm
II/FS20B	Fused Silica	20 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	56mm
II/FS42A	Fused Silica	42 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	27mm
II/FS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/FS47A	Fused Silica	47 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	24mm
II/FS47B	Fused Silica	47 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	24mm
II/FS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 2.5μm	400nm - 2.5μm	13mm
II/IS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 3.5μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/IS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 3.5μm	400nm - 1.8μm	27mm
II/CF57	Calcium Fluoride	57 kHz	2μm - 8.5μm	1μm - 5.5μm	23mm
II/ZS37	Zinc Selenide	37 kHz	2μm - 18μm	1μm - 9μm	19mm
II/ZS50	Zinc Selenide	50 kHz	2μm - 18μm	1μm - 10μm	14mm
II/SI40	Silicon	40 kHz	FIR - THz	FIR - THz	36mm
II/SI50	Silicon	50 KHz	FIR - THz	FIR - THz	29mm

美國Hinds Instruments, Inc公司相關文獻請參考：http://www.auniontech。。ｃｏｍ/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

光彈調(diào)制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf

在偏振方向調(diào)制中的應用.pdf

應用的Mueller矩陣分析.pdf

式多通道反射差分光譜技術.pdf

定標新方法.pdf

光彈調(diào)制差分反射分析系統(tǒng)的建立與應用.pdf

使用測量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學性質(zhì)的研究.pdf

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光彈調(diào)制器

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