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磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
當一束線偏振光照被磁性介質反射后，反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉（克爾旋轉角），這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統(tǒng)就是一套精確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統(tǒng)是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角精確測量的設備，使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)以激光作為光源，由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區(qū)域，因此磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有良好的局域性，可以實現(xiàn)在微米區(qū)域內(nèi)材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”，因此對樣品不會造成任何損傷，實現(xiàn)對樣品的無損測量，這對于需要做多次測量的樣品是非常有利的。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有*的靈敏度，對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產(chǎn)生外加磁場，可以提供高達25KOe的外加磁場。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
磁光克爾效應測量系統(tǒng)、磁性測量系統(tǒng)、MOKE system、微米區(qū)域克爾磁光效應測量系統(tǒng)、磁滯回線測量裝置
上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統(tǒng)主要可分為以下三類：
① 極向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產(chǎn)品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款，主要是對12英寸的垂直磁記錄介質磁特性的測量?？梢跃_的探測分析每個探測點的磁滯回線，該產(chǎn)品應用408nm的固體激光器，光斑直徑為1mm，外加磁場可高達25KOe。
② 向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產(chǎn)品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統(tǒng)?？梢詫?2寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量，并且探測結果以成像的形式顯示。
③ 微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)（m-kerr system）（極向+縱向，MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產(chǎn)品為BH-920系列。與前兩款產(chǎn)品相比， BH-920系列擁有更小的激光光斑，可以對微米區(qū)域內(nèi)的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)，該設備具有*的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
u 主要特點
- 高性能
- 成本低
- 高靈敏度（0.001°）
- 高穩(wěn)定性
- 高外加磁場（25KOe）
u 主要應用
磁性納米技術、磁性薄膜，磁性材料等磁學領域
u 測量項目
磁滯回線 | X軸：外加磁場強度 H |
Y軸：克爾旋轉角 qk | |
通過磁滯回線可獲得的參數(shù) | 矯頑力 Hc |
各向異性場 Hk | |
內(nèi)稟矯頑力 Hn | |
飽和磁場強度 Hs | |
剩余磁化強度 qr | |
飽和磁化強度 qs |
u 產(chǎn)品主要參數(shù)：
產(chǎn)品型號 參數(shù) | BH-PI920系列 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
產(chǎn)品特點 | 微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量 | 極向微區(qū)域克爾測量裝置，具有高靈敏度 | 微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量，具有較高的靈敏度 | 極向磁光克爾效應測量，對PMR薄膜晶圓的磁特性測量 | 縱向磁光克爾測量系統(tǒng)，可進行多點磁滯回線的測量 |
激光光源 | 半導體激光器（405nm） |
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| 半導體激光器（408nm） | 半導體激光器（405nm） |
光斑直徑 | 縱向測量 約 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1´2mm |
極向測量 約 2mm [1/e2] | |||||
探測靈敏度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
探測范圍 | ± 1° |
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外加磁場強度 | 極向磁體 >±10kOe | >±10kOe | 極向磁場 >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面內(nèi)磁場 >±10kOe | 面內(nèi)磁場 >±1T | ||||
可測樣品大小 | 5´5´1tmm~10´10´1tmm |
| 5´5~10´10mm t：0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |
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