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脈寬可調(diào)納秒激光器(芯片缺陷檢測用)

簡要描述:脈寬可調(diào)納秒激光器(芯片缺陷檢測用)優(yōu)勢:有通過定制,峰值功率定制可達10 W。一般測量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下,可以很容易地影響你的芯片,即使是很厚的硅

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2021-08-20
  • 訪  問  量:1245
詳細介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,電子高峰值功>50KW(>250KW可定制)

脈寬可調(diào)納秒激光器(芯片缺陷檢測用)

此系列激光器為單模激光器,通過內(nèi)置從輸入的TTL/LVTTL數(shù)字信號中產(chǎn)生光脈沖。

脈寬可調(diào)納秒激光器(芯片缺陷檢測用)脈沖長度從1.5 ns -CW 連續(xù)可調(diào),脈沖重頻 從單脈沖- 250 MHz可調(diào)


對于針對應(yīng)用(熱激光刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),芯片存儲讀?。˙BRAM, SRAM)),有著如下特別優(yōu)勢:


需求:需要盡可能小的光斑來加工待測芯片的集中部分,并定位正作用的芯片具體位置。

優(yōu)勢:激光器為單模激光器。輸出纖芯尺寸為6μm,通過配套顯微鏡,可以將它聚焦到1μm以內(nèi),提高能流密度



需求:需要時間精度和時間靈活性來使激光脈沖與待測芯片同步

優(yōu)勢:每個激光器抖動小于8 ps。從而可以將PDM+與芯片同步,并在+/8ps時知道激光脈沖何時到達樣品。可以選擇從1.5納秒到連CW 脈沖以及從單次發(fā)射到250兆赫的任何脈沖


芯片硅很厚,需要高功率

優(yōu)勢:有通過定制,峰值功率定制可達10 W。一般測量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下,可以很容易地影響你的芯片,即使是很厚的硅


可靠性和產(chǎn)品支持

優(yōu)勢:該系列激光器都是光纖設(shè)計激光器。沒有光學(xué)移動部件或損失的風(fēng)險。該模塊是電子安全的,不會因操作不當而損壞。



PDM - HPP系列激光器參數(shù)



主要特征:

  • 脈沖持續(xù)時間:1 ns (FWHM)

  • 單次脈沖、burst mode 或 連續(xù)

  • Max as 4 W峰值功率

  • 抖動(< 8 ps)

  • 可達 250 MHz重復(fù)頻率

  • 包含脈沖延遲發(fā)生器

  • Python兼容





PDM HP 系列參數(shù)

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