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光纖電光太赫茲傳感器
昊量光電新推出太赫茲電磁場(chǎng)傳感器使用由鈮酸鋰薄膜制成的馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器來(lái)探測(cè)太赫茲波。在時(shí)域太赫茲光譜學(xué)應(yīng)用中,該電光太赫茲傳感器可以代替笨重的基于偏振調(diào)制的光學(xué)元件。光纖電光太赫茲 傳感器可以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率,并且可以在直流頻率附近工作,蕞高可達(dá)幾個(gè)太赫茲。傳感器可以采用全介質(zhì)材料,也可以采用太赫茲天線(xiàn)。對(duì)于低太赫茲場(chǎng)值,天線(xiàn)可以將靈敏度提高10倍。介電型傳感器不干擾被測(cè)電場(chǎng),可用于高太赫茲場(chǎng)的應(yīng)用。由于使用了光纖電纜,因此不需要校準(zhǔn),并且傳感器可以很容易地放置在太赫茲波束路徑中進(jìn)行太赫茲信號(hào)的采樣。電光太赫茲傳感器工作在1550nm的眼睛安全波長(zhǎng)。該器件可用于取代太赫茲時(shí)域光譜應(yīng)用中笨重的電光采樣晶體。
太赫茲電場(chǎng)傳感器由一個(gè)光纖耦合馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器組成,該調(diào)制器具有一根輸入光纖和兩根用于平衡檢測(cè)的輸出光纖。光纖電光太赫茲 傳感器的光學(xué)電路示意圖如下所示。該傳感器由一個(gè)輸入光柵耦合器和兩個(gè)輸出光柵耦合器組成。在輸入和輸出耦合器之間,有一個(gè)馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器部分。馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器的兩臂方向相反。當(dāng)電場(chǎng)作用在器件上時(shí),由于調(diào)制器的極化作用,器件一側(cè)臂的折射率增加,另一側(cè)臂的折射率降低。因此電場(chǎng)對(duì)光信號(hào)進(jìn)行調(diào)制。由于采用了鈮酸鋰薄膜,射頻信號(hào)和光信號(hào)的相位匹配良好。因此,高帶寬可達(dá)幾個(gè)太赫茲。
光纖電光太赫茲傳感器產(chǎn)品特性:
基于鈮酸鋰薄膜的研究
電光馬赫-曾德?tīng)栒{(diào)制器
直流頻率到太赫茲頻率
所有介電材料
不受電磁干擾
高空間分辨率
光纖電光太赫茲 傳感器Mach-Zehnder THz sensor, P/N MZ-XX-Q-B-YY
參數(shù) | 高帶寬 | 高靈敏度 |
動(dòng)態(tài)范圍 | 10 V/m – 2MV/m | 1 V/m – 200kV/m |
靈敏度 | 10 V/(m. Hz 0.5) | 1 V/(m. Hz 0.5) |
選擇性(正交成分抑制) | >30 (dB) | >30 (dB) |
光學(xué)插入損耗 | -12 (dB) | -12 (dB) |
工作波長(zhǎng) | 1550 (nm) | 1550 (nm) |
測(cè)量方向 | PL: Parallel | PL: Parallel |
-3dB帶寬(光耦合器) | 50(nm) | 50(nm) |
-3dB 調(diào)制器帶寬* | 600 GHz | 60 GHz |
有效相互作用長(zhǎng)度 XX | 600 microns | 6000 microns |
Ep | 23 MV/m | 2.3 MV/m |
傳感器尺寸 | 3(mm) x 25(mm) | 3(mm) x 25(mm) |
光纖長(zhǎng)度 | 1(m) | 1(m) |
光纖及接口 | 3 PM, FC/APC | 3 PM, FC/APC |
光纖電光太赫茲 傳感器電場(chǎng)THz 傳感器控制器, P/N: L-1550-THz-D-400-B
參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
激光功率 | 10 (mW) | |
工作波長(zhǎng) | 1550 (nm) | |
測(cè)量范圍 | 1 GHz – 1 THz | 取決于傳感器 |
典型響應(yīng)增益 | 0.4 (μV/(V/m)) | 0.04(μV/(V/m)) for 600micron devices |
蕞大輸出頻率 | 100 MHz | |
尺寸 | 300x264x134(mm) | 可低至6ps |
重量 | 1 (kg) | |
輸出 | SMA-50 ohm | |
供電 | 110-220 volt, 50-60Hz |